Thông tin
Giới thiệu về linh kiện SiC Schottky Barrier Diodes (SBD) của Rohm
15/10/2020
Tổng dung lượng điện tích của SBD là nhỏ, giảm năng lượng tiêu hao chuyển mạch trong khi làm tăng tốc độ hoạt đôngj chuyển mạch. Hơn nữa, không giống như Si diodes có thời gian phục hồi trr tăng lên với nhiệt độ, SiC duy trì đặc tính không đổi, dẫn đến hiệu năng cao hơn. Cũng như các linh kiện bán dẫn SiC khác, SiC SBDs cho phép nhà sản xuất giảm kích thước của các thiết bị công nghiệp, làm cho chúng có khả năng trở thành linh kiện lý tưởng sử dụng trong các mạch và các bộ inverters.
Hơn nữa, SiC SBDs làm cho hệ thống chuyển đổi năng lượng đáng tin cậy hơn, có khả năng được sử dụng trong các mạch thu điện tích trong xe hơi điện EV hoặc HEV, và trong các tấm pin năng lượng mặt trời, nơi mà các thế hệ linh kiện SiC mới nhất được ứng dụng có thể giảm năng lượng tiêu phí lên đến hơn 50 %.
Những ứng dụng khác của SiC sản sinh ra nhiệt thấp là những ứng dụng trong các thiết bị sử dụng điện áp cao, như máy dùng tia X.
Rohm (Japan) đã nghiên cứu phát triển thành công thế hệ thứ 3 dòng SCS3 của SiC SBDs.
Đào tạo, nghiên cứu gắn liền với khoa học và công nghệ nhằm tạo ra những sinh viên và học viên có lòng yêu nước, có phẩm chất Nhân văn mang đậm bản sắc Việt Nam, có ý thức sinh hoạt cộng đồng, có sức khỏe, tự tin, năng động, sáng tạo, có năng lực và kỹ năng toàn diện để trở thành công dân toàn cầu.