Thông tin
Đại học Kyoto nghiên cứu thành công tăng độ di động điện tử của SiC MOSFET
14/09/2020
Nhóm nghiên cứu của Giáo sư Kimoto thuộc Đại học Kyoto đã nghiên cứu thành công sử dụng phương pháp mới để chế tạo màng oxit, từ đó giảm đáng kể các khuyết điểm giữa ở ranh giới giữa vật liệu SiC với màng oxit SiO2. Linh kiện SiC MOSFET loại n sản xuất thử bằng phương pháp này cũng có tính năng vượt trội so với loại thông thường. Đồng thời, độ di động điện tử của SiC MOSFET cũng tăng lên 2 lần so với trước. Kết quả nghiên cứu lần này là một bước ngoặc lớn sau 20 năm của ngành bán dẫn.
Đào tạo, nghiên cứu gắn liền với khoa học và công nghệ nhằm tạo ra những sinh viên và học viên có lòng yêu nước, có phẩm chất Nhân văn mang đậm bản sắc Việt Nam, có ý thức sinh hoạt cộng đồng, có sức khỏe, tự tin, năng động, sáng tạo, có năng lực và kỹ năng toàn diện để trở thành công dân toàn cầu.