Thông tin

Renesas Electronics phát triển công nghệ điện tử công suất thấp

14/09/2020

Renesas Electronics Corporation phát triển công nghệ điện tử công suất thấp để đưa vào sử dụng trong flash memory dựa trên công nghệ 65 nm SOTB (Silicon On Thin Buried Oxide). Công nghệ dựa trên SOTB mới được thực hiện trong bộ điều khiển Renesas R7F0E đặc biệt ứng dụng trong energy harvesting.

Đại học Kyoto nghiên cứu thành công tăng độ di động điện tử của SiC MOSFET

14/09/2020

Nhóm nghiên cứu của Giáo sư Kimoto thuộc Đại học Kyoto đã nghiên cứu thành công sử dụng phương pháp mới để chế tạo màng oxit, từ đó giảm đáng kể các khuyết điểm giữa ở ranh giới giữa vật liệu SiC với màng oxit SiO2. Linh kiện SiC MOSFET loại n sản xuất thử bằng phương pháp này cũng có tính năng vượt...