Nghiên cứu Khoa học

Giới thiệu vật liệu wide-band SiC

Silicon Carbide (SiC) là vật liệu bán dẫn thuộc nhóm vật liệu Wide band. SiC cung cấp một số đặc tính ưu việt cho các ứng dụng về Power Semiconductors điện áp cao hơn hẳn vật liệu bán dẫn thường được sử dụng là Silicon (Si). Cụ thể, SiC có breakdown field lớn hơn hẳn và độ dẫn nhiệt tốt hơn rất nhiều lần so với Si. 

 SiC MOSFET được dùng trong cả Modules lẫn các linh kiện rời rạc (Discretes). Linh kiện SiC Schottky Diodes cũng ứng dụng trong Hybrid Modules.

 Việc kết hợp giữa một Switch Si với một SiC diode gọi là giải pháp Hybrid. Trong những năm gần đây, Infineon đã sản xuất số lượng lớn linh kiện hybride modules và đưa ra các sản phẩm đa dạng trong ứng dụng như pin năng lượng mặt trời, UPS. CoolSiC MOSFET của Infineon đã tối ưu hóa được quá trình semiconductor process để cho phép đảm bảo năng liệu hao phí vừa thấp vừa dảm bảo có độ tin cậy cao nhất. 

 Công nghệ tiên tiến của SiC của Infineon CoolSiC tạo ra khả năng phát triển các sản phẩm mới với giá thành tốt.

Các tin khác

• Ứng dụng trí tuệ nhân tạo trong ngành Điện
• Điều khiển nồng độ pH cho hồ cá
• Xây dựng hệ thống Điều khiển động cơ dùng FPGA
• Giới thiệu về Công nghệ Nén Ảnh
• Bài toán xác định vị trí và tìm đường cho Mobile Robot