Nghiên cứu Khoa học

Đại học Kyoto nghiên cứu thành công tăng độ di động điện tử của SiC MOSFET

Nhóm nghiên cứu của Giáo sư Kimoto thuộc Đại học Kyoto đã nghiên cứu thành công sử dụng phương pháp mới để chế tạo màng oxit, từ đó giảm đáng kể các khuyết điểm giữa ở ranh giới giữa vật liệu SiC với màng oxit SiO2. Linh kiện SiC MOSFET loại n sản xuất thử bằng phương pháp này cũng có tính năng vượt trội so với loại thông thường. Đồng thời, độ di động điện tử của SiC MOSFET cũng tăng lên 2 lần so với trước. Kết quả nghiên cứu lần này là một bước ngoặc lớn sau 20 năm của ngành bán dẫn.

Các tin khác

• Ứng dụng trí tuệ nhân tạo trong ngành Điện
• Điều khiển nồng độ pH cho hồ cá
• Xây dựng hệ thống Điều khiển động cơ dùng FPGA
• Giới thiệu về Công nghệ Nén Ảnh
• Bài toán xác định vị trí và tìm đường cho Mobile Robot