Học liệu

Transistor tăng cường NMOS

  • 18/05/2018
  • Học liệu

Gồm móng silic loại p, hai vùng khuếch tán loại (n+) gọi là nguồn và máng. Giữa nguồn và máng là một vùng hẹp nền p gọi là kênh, được phủ một lớp cách điện (gọi là cổng oxit). Trên lớp oxit là điện cực silic đa tinh thể (polysilic). Dòng điện một chiều từ cổng tới kênh bằng không (vì lớp oxit là lớp cách điện).

undefined

Có bốn cực: cổng (gate), nguồn (source), máng (drain), nền (body) p. Cực cổng - lớp oxide - cực nền tương đương với một transistor.

Nguyên tắc hoạt động của transistor MOS tương tự như một vòi nước.

Ở điều kiện bình thường thì transistor NMOS có 3 vùng làm việc: vùng ngưng dẫn, vùng tuyến tính và vùng bão hòa.

Vùng ngưng dẫn:

undefined

  • Cực nền được nối với ground (0 V)
  • Khi nền cổng ở mức điện áp thấp V (GS) < V (T):

Cực nền loại p cũng ở mức điện áp thấp

Các tiếp giáp giữa thân và nguồn hoặc máng được phân cực nghịch nên hầu như không có dòng điện chạy qua.

Không có dòng qua transistor (off).

Vùng không bão hòa:

undefined

  • V (GS) > V (T), V (DS) nhỏ:

Hình thành kênh dẫn

Dòng chảy từ d-s, e(-) chuyển từ s => d

Ids tăng theo Vds

Giống điện trở tuyến tính

Vùng bão hòa:

undefined

  • Khi cực cổng ở mức điện áp cao:

Tụ MOS được nạp điện dương ở cực cổng

Ở cực nền mang điện tích âm

Kênh dãn ở trạng thái nghẹt

Ids không phụ thuộc vào Vds

Các tin khác